大谷昇・工学部教授が表記国際会議にシンポジウム組織委員として参加し、会議運営に携わりました。担当シンポジウムは、H04：Gallium Nitride and Silicon Carbide Power Technologies 13で、SiCやGaNといったワイドギャップ半導体を用いたパワー半導体に関連した論文を取り扱ったシンポジウムでした。当該シンポジウムでは、SiC及びGaN材料・デバイス・システムに関する最新の成果が世界各国の研究機関から発表され、多くの聴講者を集めていました。