プラズマALD・CVD装置の導入
2024.06.03
個人研究 Individual Research
2023年度研究装置・設備購入制度により、工学部・細井研究室にプラズマALD・CVD装置が導入されました。ALD（Atomic Layer Deposition）とは、有機原料と酸化剤を交互に導入することによって、低温で膜厚制御性よくナノメートルオーダーの酸化膜を形成する手法です。半導体デバイスの核とも言えるMOS（Metal-Oxide-Semiconductor）型トランジスタのゲート酸化膜形成に利用されている方法で、有機原料を変えることによって様々な種類の酸化膜の形成が可能です。また、有機原料と酸化剤を同時に導入すればCVD（Chemical Vapor Deposition）と呼ばれるモードでの成膜も可能となります。細井研究室では本装置を活用して、高性能半導体デバイスの開発を目指します。
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