2024年度研究装置・設備購入制度により、工学部・野村研究室にダブルパルステスト用評価装置が導入されました。本装置は、パワー半導体デバイスのスイッチング特性を高精度に評価するためのものであり、ターンオン／ターンオフ時の過渡応答、スイッチング損失、オーバーシュートなどの重要な特性を定量的に測定することが可能です。近年、SiCやGaNなどのワイドバンドギャップ半導体の普及に伴い、高速スイッチングに伴うノイズや損失の把握が求められており、その性能を最大限に引き出すためには、ダブルパルステストによる詳細な特性評価が不可欠です。この装置を用いることで、スイッチングノイズと電磁干渉（EMI）の発生メカニズム解明や、それに基づくノイズ低減技術の開発に貢献することが期待されます。今後は、本装置を活用して高性能かつ高信頼性のパワーエレクトロニクスシステムの実現に取り組み、次世代電力変換技術の高度化を目指します。